Справочник электронных компонентов

Транзистор BTN5551K3

BTN5551K3 - транзистор биполярный кремниевый структуры NPN

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-92L

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность коллектора, Pc: 0.9 Вт
Максимальное напряжение коллектор-база, Vcb: 180 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, Vce: 160 В
Максимальное напряжение эмиттер-база, Veb: 6 В
Максимальный постоянный ток коллектора, Ic: 0.6 А
Граничная частота коэффициента передачи, Ft: 100 МГц
Коэффициент передачи тока, не менее, Hfe: 100
Емкость коллекторного перехода, Cc: 6 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор BTN5551K3 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pc, Вт	Vcb, В	Vce, В	Veb, В	Ic, А	Ft, МГц	Hfe	Cc, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BTC3906L3	SMD	NPN	5	180	160	6	0.6	100	120	6	150	SOT-223
BTC3906M3	SMD	NPN	2	180	160	6	0.6	100	120	6	150	SOT-89
CXT5551E	SMD	NPN	1.2	250	220	6	0.6	100	120	6	150	SOT-89
CZT5551C	SMD	NPN	1.5	180	160	6	0.6	100	160	6	150	SOT-223
CZT5551E	SMD	NPN	2	250	220	7	0.6	100	120	6	150	SOT-223
CZT5551N	SMD	NPN	1.5	180	160	6	0.6	100	100	6	150	SOT-223
PZT5551B	SMD	NPN	1.5	180	160	6	0.6	100	100	6	150	SOT-223
PZT5551C	SMD	NPN	1.5	180	160	6	0.6	100	160	6	150	SOT-223
PZT5551L3	SMD	NPN	5	180	160	6	0.6	100	120	6	150	SOT-223