Транзистор 11N10C
11N10C - полевой МОП-транзистор (MOSFET) N-канальный
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 28 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 11 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.095 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор 11N10C можно заменить на:
НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
AOD2544 |
SMD |
N |
75 |
150 |
20 |
2.7 |
23 |
0.054 |
- |
3 |
78 |
175 |
TO-252 |
AOD4286 |
SMD |
N |
30 |
100 |
20 |
2.9 |
14 |
0.068 |
- |
2.5 |
30 |
175 |
TO-252 |
AOI4286 |
PTH |
N |
30 |
100 |
20 |
2.9 |
14 |
0.068 |
- |
2.5 |
30 |
175 |
TO-251A |
FDMC86260ET150 |
SMD |
N |
65 |
150 |
20 |
4 |
25 |
0.034 |
- |
2 |
105 |
175 |
Power33 |