Транзистор 16N10
16N10 - полевой МОП-транзистор (MOSFET) N-канальный
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.08 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 6.5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 160 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор 16N10 можно заменить на:
НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
22N10 |
SMD |
N |
70 |
100 |
20 |
- |
22 |
0.04 |
- |
6.5 |
160 |
175 |
TO-252 |
AOD2544 |
SMD |
N |
75 |
150 |
20 |
2.7 |
23 |
0.054 |
- |
3 |
78 |
175 |
TO-252 |
AOD2916 |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
2.7 |
25 |
0.034 |
- |
3.5 |
68 |
175 |
TO-252 |
FDB2570 |
SMD |
N |
93 |
150 |
20 |
4 |
22 |
0.08 |
- |
5 |
106 |
175 |
TO-263 |
FDMC86260ET150 |
SMD |
N |
65 |
150 |
20 |
4 |
25 |
0.034 |
- |
2 |
105 |
175 |
Power33 |
FDP2570 |
PTH |
N |
93 |
150 |
20 |
4 |
22 |
0.08 |
- |
5 |
106 |
175 |
TO-220 |
KDB2570 |
SMD |
N |
93 |
150 |
20 |
4 |
22 |
0.08 |
40 |
5 |
106 |
175 |
TO-263 |
MTE65N15J3 |
SMD |
N |
60 |
150 |
30 |
- |
20 |
0.055 |
- |
5 |
117 |
175 |
TO-252 |
PSMN075-100MSE |
SMD |
N |
65 |
100 |
20 |
4 |
18 |
0.071 |
16.4 |
5.8 |
66 |
175 |
LFPAK33 |
SM1A15NSU |
SMD |
N |
75 |
100 |
20 |
2.5 |
30 |
0.044 |
40 |
6 |
120 |
175 |
TO-252 |