Транзистор 1N60P
1N60P - полевой МОП-транзистор (MOSFET) N-канальный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-92
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 9.3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 20 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор 1N60P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP60WN4K9K |
SMD |
N |
2.78 |
600 |
30 |
4 |
2 |
4.9 |
- |
10 |
19 |
150 |
SOT-223 |
| CS1N60_B1R |
PTH |
N |
3 |
600 |
30 |
- |
1.5 |
8 |
- |
5 |
18 |
150 |
TO-92 |