G111K - полевой МОП-транзистор (MOSFET) N-канальный
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
- SMD-код: 111E
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.38 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 4 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 1 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 56 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 50 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор G111K можно заменить на:
Нет элементов для замены