10ETF12S - Диод кремниевый быстрый
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1200 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 10 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 160 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.33 В
- Обратный ток утечки, Ir: 100 мкА
- Время обратного восстановления, Trr: 310 нС
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод 10ETF12S:
Диод 10ETF12S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Trr, нС |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 10ETF12 |
PTH |
1200 |
10 |
160 |
1.33 |
100 |
310 |
- |
150 |
TO-220AC |
| 10ETF12FP |
PTH |
1200 |
10 |
160 |
1.33 |
100 |
310 |
- |
150 |
TO-220F |