1E8 - Диод кремниевый быстрый
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: R-1
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 800 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 1 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 30 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 2.2 В
- Обратный ток утечки, Ir: 5 мкА
- Время обратного восстановления, Trr: 35 нС
- Емкость перехода, Cj: 12 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод 1E8:
Диод 1E8 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Trr, нС |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 1E9 |
PTH |
1000 |
1 |
30 |
2.2 |
5 |
35 |
12 |
150 |
R-1 |
| ES1K |
SMD |
800 |
1 |
30 |
1.7 |
5 |
35 |
8 |
150 |
SMA |
| FES1HL |
SMD |
800 |
1 |
30 |
1.7 |
5 |
35 |
8 |
150 |
DO-219AA |
| FES1JL |
SMD |
1000 |
1 |
30 |
1.7 |
5 |
35 |
8 |
150 |
DO-219AA |
| SFM109A |
SMD |
800 |
1 |
30 |
1.9 |
5 |
35 |
7 |
150 |
SMA |