1N5550US - Диод кремниевый быстрый
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MELF-B
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 200 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 3 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 150 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.2 В
- Обратный ток утечки, Ir: 1 мкА
- Время обратного восстановления, Trr: 2000 нС
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод 1N5550US:
Диод 1N5550US можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Trr, нС |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 1N5550 |
PTH |
200 |
3 |
150 |
1.2 |
1 |
2000 |
92 |
175 |
PKG301 |
| 1N5551 |
PTH |
400 |
3 |
150 |
1.2 |
1 |
2000 |
92 |
175 |
PKG301 |
| 1N5551US |
SMD |
400 |
3 |
150 |
1.2 |
1 |
2000 |
- |
175 |
MELF-B |
| 1N5552 |
PTH |
600 |
3 |
150 |
1.2 |
1 |
2000 |
92 |
175 |
PKG301 |
| 1N5552US |
SMD |
600 |
3 |
150 |
1.2 |
1 |
2000 |
- |
175 |
MELF-B |
| STTH502B |
SMD |
200 |
5 |
160 |
0.95 |
1 |
30 |
100 |
175 |
TO-252 |