1N5812HCE - Диод кремниевый быстрый
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: -
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 50 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 20 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 400 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.95 В
- Обратный ток утечки, Ir: 10 мкА
- Время обратного восстановления, Trr: 35 нС
- Емкость перехода, Cj: 300 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод 1N5812HCE:
Диод 1N5812HCE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Trr, нС |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 1N5812KCE |
SMD |
50 |
20 |
400 |
0.95 |
10 |
35 |
300 |
175 |
- |
| 1N5814HCE |
SMD |
100 |
20 |
400 |
0.95 |
10 |
35 |
300 |
175 |
- |
| 1N5814KCE |
SMD |
100 |
20 |
400 |
0.95 |
10 |
35 |
300 |
175 |
- |
| 1N5816HCE |
SMD |
150 |
20 |
400 |
0.95 |
10 |
35 |
300 |
175 |
- |
| 1N5816KCE |
SMD |
150 |
20 |
400 |
0.95 |
10 |
35 |
300 |
175 |
- |