BYG50J - Диод кремниевый быстрый
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMA
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 600 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 1 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 30 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1 В
- Обратный ток утечки, Ir: 1 мкА
- Время обратного восстановления, Trr: 2000 нС
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод BYG50J:
Диод BYG50J можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Trr, нС |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 1N3613GP |
PTH |
600 |
1 |
30 |
1 |
1 |
2000 |
8 |
175 |
DO-41 |
| 1N3614GP |
PTH |
800 |
1 |
30 |
1 |
1 |
2000 |
8 |
175 |
DO-41 |
| 1N3957GP |
PTH |
1000 |
1 |
30 |
1 |
1 |
2000 |
8 |
175 |
DO-41 |
| BYG50K |
SMD |
800 |
1 |
30 |
1 |
1 |
2000 |
- |
175 |
SMA |
| BYG50M |
SMD |
1000 |
1 |
30 |
1 |
1 |
2000 |
- |
175 |
SMA |