EGL1M - Диод кремниевый быстрый
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MiniMELF
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1000 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 1 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 25 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.8 В
- Обратный ток утечки, Ir: 5 мкА
- Время обратного восстановления, Trr: 75 нС
- Емкость перехода, Cj: 15 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод EGL1M:
Диод EGL1M можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Trr, нС |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BYD57ZM |
SMD |
1000 |
1 |
25 |
1.7 |
5 |
75 |
10 |
175 |
SOD-123 |
| CD1408-FF11000 |
SMD |
1000 |
1 |
25 |
1.7 |
5 |
75 |
10 |
175 |
1408 |
| HER108GPT |
PTH |
1000 |
1 |
30 |
1.7 |
5 |
70 |
12 |
175 |
DO-41 |
| HSM108 |
SMD |
1000 |
1 |
30 |
1.7 |
5 |
75 |
12 |
175 |
MELF |
| UGF1M |
SMD |
1000 |
1 |
30 |
1.7 |
5 |
75 |
15 |
175 |
SMA |