FESB8JT - Диод кремниевый быстрый
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263AB
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 600 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 125 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.5 В
- Обратный ток утечки, Ir: 10 мкА
- Время обратного восстановления, Trr: 50 нС
- Емкость перехода, Cj: 50 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод FESB8JT:
Диод FESB8JT можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Trr, нС |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CUDD8-08 |
SMD |
800 |
8 |
125 |
1.5 |
10 |
50 |
50 |
150 |
TO-263 |
| FES8JT |
PTH |
600 |
8 |
125 |
1.5 |
10 |
50 |
50 |
150 |
TO-220AC |
| FESF8JT |
PTH |
600 |
8 |
125 |
1.5 |
10 |
50 |
50 |
150 |
ITO-220AC |
| HER806S |
SMD |
600 |
8 |
200 |
1 |
10 |
50 |
40 |
150 |
TO-263 |
| SF86G |
PTH |
600 |
8 |
125 |
1.35 |
10 |
50 |
50 |
150 |
TO-220AC |