RDB307S - Диодный мост быстрый однофазный
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DB-S
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1000 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 3 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 80 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.3 В
- Обратный ток утечки, Ir: 5 мкА
- Время обратного восстановления, Trr: 500 нС
- Емкость перехода, Cj: 25 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диодную сборку RDB307S:
Сборку диодную RDB307S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Trr, нС |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RDB307 |
PTH |
1000 |
3 |
80 |
1.3 |
5 |
500 |
25 |
150 |
DB-M |