DS1109SG50 - Диод кремниевый стандартный
- Тип исполнения: в круглом корпусе типа Диск
- Корпус: -
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 5000 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 450 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 9200 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.8 В
- Обратный ток утечки, Ir: 50000 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод DS1109SG50:
Диод DS1109SG50 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| DRD710G50 |
Диск |
5000 |
710 |
11500 |
1.8 |
50000 |
- |
150 |
- |