DS1112SG59 - Диод кремниевый стандартный
- Тип исполнения: в круглом корпусе типа Диск
- Корпус: -
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 5900 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 410 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 8500 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 2.1 В
- Обратный ток утечки, Ir: 75000 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод DS1112SG59:
Диод DS1112SG59 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| DS1112SG60 |
Диск |
6000 |
410 |
8500 |
2.1 |
75000 |
- |
175 |
- |
| DS2012SF59 |
Диск |
5900 |
680 |
13500 |
2.1 |
75000 |
- |
175 |
- |
| DS2012SF60 |
Диск |
6000 |
680 |
13500 |
2.1 |
75000 |
- |
175 |
- |