GAABJ50M - Диод кремниевый стандартный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: BC1
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 28 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 50 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 600 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.08 В
- Обратный ток утечки, Ir: 2 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод GAABJ50M:
Диод GAABJ50M можно заменить на:
Нет элементов для замены