GB506N - Диод кремниевый стандартный
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: BA
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 600 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 50 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 600 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.08 В
- Обратный ток утечки, Ir: 5 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод GB506N:
Диод GB506N можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| GABJ506 |
PTH |
600 |
50 |
600 |
1.08 |
5 |
- |
175 |
BC3 |
| GAM506 |
PTH |
600 |
50 |
600 |
1.08 |
5 |
- |
175 |
MC1 |
| GAMS506 |
PTH |
600 |
50 |
600 |
1.08 |
5 |
- |
175 |
MC2 |
| GB506P |
SMD |
600 |
50 |
600 |
1.08 |
5 |
- |
175 |
BA |
| MD7006 |
PTH |
600 |
70 |
600 |
1 |
5 |
400 |
175 |
PressFIT |
| PF7006 |
PTH |
600 |
70 |
600 |
1.03 |
5 |
400 |
175 |
DO-21 |
| PF7006R |
PTH |
600 |
70 |
600 |
1.03 |
5 |
400 |
175 |
DO-21 |