GNTJ - Диод кремниевый стандартный
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMB
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 600 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 2.5 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 150 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.1 В
- Обратный ток утечки, Ir: 5 мкА
- Емкость перехода, Cj: 35 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод GNTJ:
Диод GNTJ можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CN3J |
Диск |
600 |
3 |
200 |
1.1 |
5 |
28 |
175 |
C3A |
| CN3K |
Диск |
800 |
3 |
200 |
1.1 |
5 |
28 |
175 |
C3A |
| CN3M |
Диск |
1000 |
3 |
200 |
1.1 |
5 |
28 |
175 |
C3A |
| GNTK |
SMD |
800 |
2.5 |
150 |
1.1 |
5 |
35 |
150 |
SMB |
| GNTM |
SMD |
1000 |
2.5 |
150 |
1.1 |
5 |
35 |
150 |
SMB |