4GBJ1008 - Диодный мост стандартный однофазный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: 4GBJ
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 800 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 10 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 210 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1 В
- Обратный ток утечки, Ir: 10 мкА
- Емкость перехода, Cj: 55 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диодную сборку 4GBJ1008:
Сборку диодную 4GBJ1008 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 4GBJ1010 |
PTH |
1000 |
10 |
210 |
1 |
10 |
55 |
150 |
4GBJ |
| GBJ1008-G |
PTH |
800 |
10 |
220 |
1 |
10 |
55 |
150 |
GBJ |
| GBJ1010-G |
PTH |
1000 |
10 |
220 |
1 |
10 |
55 |
150 |
GBJ |
| RBV1008 |
PTH |
800 |
10 |
300 |
1 |
10 |
55 |
150 |
RBV25 |
| RBV1010 |
PTH |
1000 |
10 |
300 |
1 |
10 |
55 |
150 |
RBV25 |