Справочник электронных компонентов

Диодная сборка кремниевая стандартная 4GBJ806F

4GBJ806F - Диодный мост стандартный однофазный

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: 4GBJ

Основные характеристики:

Максимальное обратное напряжение, Vr: 600 В
Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
Пиковый прямой ток, Ifsm: 160 А
Прямое падение напряжения, Vf: 0.95 В
Обратный ток утечки, Ir: 10 мкА
Емкость перехода, Cj: 55 пФ
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц

Техническое описание (datasheet) на диодную сборку 4GBJ806F:

Сборку диодную 4GBJ806F можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	Vr, В	Ifa, А	Ifsm, А	Vf, В	Ir, мкА	Cj, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
4GBJ1006F	PTH	600	10	170	0.95	10	55	150	4GBJ
4GBJ1006L	PTH	600	10	210	0.92	10	55	150	4GBJ
4GBJ1006U	PTH	600	10	210	0.89	10	55	150	4GBJ
4GBJ806L	PTH	600	8	200	0.92	10	55	150	4GBJ
4GBJ806U	PTH	600	8	200	0.89	10	55	150	4GBJ
GBJ1006F	PTH	600	10	220	0.95	10	55	150	GBJ
GBJ1006L	PTH	600	10	220	0.92	10	55	150	GBJ
GBJ1006U	PTH	600	10	220	0.89	10	55	150	GBJ
GBJ806F	PTH	600	8	200	0.95	10	55	150	GBJ
GBJ806L	PTH	600	8	200	0.92	10	55	150	GBJ
GBJ806U	PTH	600	8	200	0.89	10	55	150	GBJ