DB5010P - Диодный мост стандартный однофазный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: -
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1000 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 50 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 600 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.1 В
- Обратный ток утечки, Ir: 1 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диодную сборку DB5010P:
Сборку диодную DB5010P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| DB5010PT |
PTH |
1000 |
50 |
600 |
1.1 |
1 |
- |
175 |
- |
| DB5010PW |
PTH |
1000 |
50 |
600 |
1.1 |
1 |
- |
175 |
- |
| SDB5010 |
SMD |
1000 |
50 |
600 |
1.1 |
1 |
- |
175 |
- |