GBJ2010G - Диодный мост стандартный однофазный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: GBJ
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1000 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 20 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 300 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.1 В
- Обратный ток утечки, Ir: 5 мкА
- Емкость перехода, Cj: 65 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диодную сборку GBJ2010G:
Сборку диодную GBJ2010G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| GBJ2010 |
PTH |
1000 |
20 |
350 |
1.1 |
5 |
60 |
150 |
GBJ6 |
| GBJ2010T |
PTH |
1000 |
20 |
320 |
1.1 |
5 |
65 |
150 |
GBJ |
| KBJ2010 |
PTH |
1000 |
20 |
350 |
1.1 |
5 |
60 |
150 |
GBJ6 |
| KBJ3510 |
PTH |
1000 |
35 |
350 |
1.05 |
2 |
60 |
150 |
KBJ4 |
| KBJ35M |
PTH |
1000 |
35 |
350 |
1.05 |
2 |
60 |
150 |
KBJ4 |
| RS3510M |
PTH |
1000 |
35 |
350 |
1.05 |
2 |
55 |
150 |
RS-35M |