GBJ2012 - Диодный мост стандартный однофазный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: GBJ
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1200 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 20 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 240 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.05 В
- Обратный ток утечки, Ir: 10 мкА
- Емкость перехода, Cj: 60 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диодную сборку GBJ2012:
Сборку диодную GBJ2012 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| GBJ2016 |
PTH |
1600 |
20 |
240 |
1.05 |
10 |
60 |
150 |
GBJ |