GBJ5010A - Диодный мост стандартный однофазный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: GBJ
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1000 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 50 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 320 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.1 В
- Обратный ток утечки, Ir: 5 мкА
- Емкость перехода, Cj: 75 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диодную сборку GBJ5010A:
Сборку диодную GBJ5010A можно заменить на:
Нет элементов для замены