GBJ5010G - Диодный мост стандартный однофазный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: GBJ
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1000 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 50 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 400 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1 В
- Обратный ток утечки, Ir: 5 мкА
- Емкость перехода, Cj: 140 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диодную сборку GBJ5010G:
Сборку диодную GBJ5010G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| GBJ50MG |
PTH |
1000 |
50 |
400 |
1 |
5 |
140 |
150 |
GBJ |