GBJ5012 - Диодный мост стандартный однофазный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: GBJ
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1200 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 50 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 450 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.1 В
- Обратный ток утечки, Ir: 5 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диодную сборку GBJ5012:
Сборку диодную GBJ5012 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| GBJ5012H |
PTH |
1200 |
50 |
450 |
1.1 |
5 |
- |
150 |
GBJ |
| GBPC5012M |
PTH |
1200 |
50 |
500 |
1.1 |
5 |
300 |
150 |
GBPC-M |
| S50VB120 |
PTH |
1200 |
50 |
500 |
1.05 |
5 |
190 |
150 |
S25VB |