GBJ8MH - Диодный мост стандартный однофазный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: GBJ
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1000 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 170 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1 В
- Обратный ток утечки, Ir: 5 мкА
- Емкость перехода, Cj: 55 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диодную сборку GBJ8MH:
Сборку диодную GBJ8MH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| GBJ810 |
PTH |
1000 |
8 |
170 |
1 |
5 |
55 |
150 |
GBJ |
| GBJ812 |
PTH |
1200 |
8 |
170 |
1 |
5 |
55 |
150 |
GBJ |
| GBJ816 |
PTH |
1600 |
8 |
170 |
1 |
5 |
55 |
150 |
GBJ |
| KBJ8M |
PTH |
1000 |
8 |
170 |
1 |
5 |
55 |
150 |
KBJ4 |
| RS810M |
PTH |
1000 |
8 |
170 |
1 |
2 |
55 |
150 |
RS-8M |
| TT8M |
SMD |
1000 |
8 |
200 |
0.98 |
2 |
30 |
150 |
TT |