GBU810-G - Диодный мост стандартный однофазный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: GBU
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1000 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 200 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1 В
- Обратный ток утечки, Ir: 10 мкА
- Емкость перехода, Cj: 60 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диодную сборку GBU810-G:
Сборку диодную GBU810-G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 4GBJ1010 |
PTH |
1000 |
10 |
210 |
1 |
10 |
55 |
150 |
4GBJ |
| GBJ1010-G |
PTH |
1000 |
10 |
220 |
1 |
10 |
55 |
150 |
GBJ |
| GBJ1510-G |
PTH |
1000 |
15 |
240 |
1 |
10 |
60 |
150 |
GBJ |
| GBU810H |
PTH |
1000 |
8 |
200 |
1 |
5 |
60 |
150 |
GBU |
| GBU810L |
PTH |
1000 |
8 |
220 |
0.92 |
5 |
60 |
150 |
GBU |
| GBU810LC |
PTH |
1000 |
8 |
200 |
0.91 |
5 |
60 |
175 |
GBU-LC |
| RBV1010 |
PTH |
1000 |
10 |
300 |
1 |
10 |
55 |
150 |
RBV25 |
| TT8M |
SMD |
1000 |
8 |
200 |
0.98 |
2 |
30 |
150 |
TT |