KBP2010-G - Диодный мост стандартный однофазный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: KBP
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1000 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 2 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 60 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.1 В
- Обратный ток утечки, Ir: 10 мкА
- Емкость перехода, Cj: 25 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 160 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диодную сборку KBP2010-G:
Сборку диодную KBP2010-G можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2KBP10 |
PTH |
1000 |
2 |
60 |
1.1 |
10 |
25 |
165 |
KBP |
| 2KBP10M |
PTH |
1000 |
2 |
60 |
1.1 |
5 |
25 |
165 |
KBPM |
| 3N259 |
PTH |
1000 |
2 |
60 |
1.1 |
5 |
25 |
165 |
KBPM |
| KBL2010 |
PTH |
1000 |
2 |
60 |
1.1 |
10 |
25 |
165 |
KBL |
| KBP2010G |
PTH |
1000 |
2 |
60 |
1.1 |
5 |
25 |
165 |
KBPM |