Справочник электронных компонентов

Диодная сборка кремниевая стандартная S1PDB40N12S

S1PDB40N12S - Диодный мост стандартный однофазный

Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
Корпус: MODULE

Основные характеристики:

Максимальное обратное напряжение, Vr: 1200 В
Максимальный средний прямой ток, Ifa: 40 А
Пиковый прямой ток, Ifsm: 260 А
Прямое падение напряжения, Vf: 1.15 В
Обратный ток утечки, Ir: 300 мкА
Емкость перехода, Cj: -
Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 125 гр.Ц

Техническое описание (datasheet) на диодную сборку S1PDB40N12S:

Сборку диодную S1PDB40N12S можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	Vr, В	Ifa, А	Ifsm, А	Vf, В	Ir, мкА	Cj, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
C50VB160	PTH	1600	50	500	1.1	100	-	150	CVB
C50VB160-G	PTH	1600	50	500	1.1	100	-	150	CVB
S1PDB40N14S	Модуль	1400	40	260	1.15	300	-	125	MODULE
S1PDB40N16S	Модуль	1600	40	260	1.15	300	-	125	MODULE
S1PDB40N18S	Модуль	1800	40	260	1.15	300	-	125	MODULE
VBO40-12NO6	Модуль	1200	40	300	1.15	300	-	150	SOT-227B
VBO40-16NO6	Модуль	1600	40	300	1.15	300	-	150	SOT-227B