S1PDB50N12 - Диодный мост стандартный однофазный
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: -
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 1200 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 50 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 610 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.1 В
- Обратный ток утечки, Ir: 5 мкА
- Емкость перехода, Cj: -
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 125 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диодную сборку S1PDB50N12:
Сборку диодную S1PDB50N12 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| S1PDB50N14 |
PTH |
1400 |
50 |
610 |
1.1 |
5 |
- |
125 |
- |
| S1PDB50N16 |
PTH |
1600 |
50 |
610 |
1.1 |
5 |
- |
125 |
- |