Диоды с барьером Шоттки
Диод с барьером Шоттки (Schottky Barrier Diode) содержит переход из полупроводника с металлом, между которыми собственно и образуется потенциальный барьер, названный в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. Особенностью такого барьера является малое падение прямого напряжения - вдвое меньшее, чем у обычных диодов, а также очень низкий заряд обратного восстановления, что обеспечивает диодам Шоттки высокое быстродействие.
При этом барьер Шоттки имеет и недостаток - его обратный ток утечки на порядок больше по сравнению с обычным p-n-переходом. Также диоды Шоттки имеют низкий предел обратного напряжения - как правило до нескольких десятков вольт. При этом чем он выше, тем больше и прямое падение напряжение, и свыше 100 вольт оно становится практически такое же, как и у обычных диодов.
Основные характеристики диодов Шоттки
- Максимальное обратное напряжение, Vr
- Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage. Максимальное напряжение в вольтах, которое может сдерживать диод в обратном направлении без пробоя перехода.
- Максимальный средний прямой ток, Ifa
- Maximum Average Forward Current или Average Rectified Output Current. Максимальный долговременный постоянный выпрямленный ток в амперах, протекающий через открытый диод, при котором не наступит его тепловой пробой.
- Пиковый прямой ток, Ifsm
- Peak Forward Surge Current. Максимальный кратковременный не повторяющийся переменный ток в амперах длительностью, как правило, 8,3 мкс.
- Прямое падение напряжения, Vf
- Forward Voltage. Напряжение в вольтах, падающее на открытом диоде из-за сопротивления перехода, при прохождении через него максимального прямого тока Ifa.
- Обратный ток утечки, Ir
- Leakage Current или Maximum Reverse Current. Ток в микроамперах, протекающий через диод в обратном направлении, от приложенного к нему максимального обратного напряжения Vr.
- Емкость перехода, Cj
- Junction Capacitance. Емкость p-n-перехода диода в пикофарадах. При увеличении частоты сигнала реактивное сопротивление этой емкости падает и, таким образом, шунтирует переход, нарушая работу диода. Поэтому, чем выше частота, тем меньше должна быть емкость перехода.