100BGQ100J - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: -
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 100 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 800 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.04 В
- Обратный ток утечки, Ir: 300 мкА
- Емкость перехода, Cj: 1320 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод 100BGQ100J:
Диод 100BGQ100J можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 100BGQ100 |
SMD |
100 |
100 |
800 |
1.04 |
300 |
1320 |
175 |
- |