1N5712 - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: DO-35
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 20 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 0.035 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: -
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.55 В
- Обратный ток утечки, Ir: 0.15 мкА
- Емкость перехода, Cj: 1.2 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 200 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод 1N5712:
Диод 1N5712 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 5082-2810 |
PTH |
20 |
0.035 |
- |
0.41 |
0.1 |
1.2 |
200 |
DO-35 |