1N5712UB - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: -
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 20 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 0.035 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 2 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.41 В
- Обратный ток утечки, Ir: 0.15 мкА
- Емкость перехода, Cj: 2 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод 1N5712UB:
Диод 1N5712UB можно заменить на:
Нет элементов для замены