1N5820US - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D-5B
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 20 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 3 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 80 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.4 В
- Обратный ток утечки, Ir: 100 мкА
- Емкость перехода, Cj: 250 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 125 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод 1N5820US:
Диод 1N5820US можно заменить на:
Нет элементов для замены