1N5832R - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: с креплением под гайку (тип Болт)
- Корпус: DO-4R
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 20 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 40 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 800 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.52 В
- Обратный ток утечки, Ir: 20000 мкА
- Емкость перехода, Cj: 2200 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод 1N5832R:
Диод 1N5832R можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 1N5832 |
Болт |
20 |
40 |
800 |
0.52 |
20000 |
2200 |
150 |
DO-5 |