50WQ10FN - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 5.5 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 110 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.77 В
- Обратный ток утечки, Ir: 1000 мкА
- Емкость перехода, Cj: 183 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод 50WQ10FN:
Диод 50WQ10FN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 50WQ10FNPBF |
SMD |
100 |
5.5 |
110 |
0.77 |
1000 |
183 |
150 |
TO-252 |
| VS-50WQ10FNPBF |
SMD |
100 |
5.5 |
110 |
0.77 |
1000 |
183 |
150 |
TO-252AA |