8TQ100S - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 330 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.75 В
- Обратный ток утечки, Ir: 1000 мкА
- Емкость перехода, Cj: 500 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод 8TQ100S:
Диод 8TQ100S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 8TQ100 |
PTH |
100 |
8 |
330 |
0.75 |
1000 |
500 |
150 |
TO-220AC |
| VS-8TQ100SPBF |
SMD |
100 |
8 |
850 |
0.72 |
550 |
500 |
175 |
TO-263 |