8TQ200S - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 200 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 276 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.8 В
- Обратный ток утечки, Ir: 1000 мкА
- Емкость перехода, Cj: 300 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод 8TQ200S:
Диод 8TQ200S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 8TQ200 |
PTH |
200 |
8 |
276 |
0.8 |
1000 |
300 |
175 |
TO-220AC |