BSDD08G65E2 - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 650 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 48 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.7 В
- Обратный ток утечки, Ir: 40 мкА
- Емкость перехода, Cj: 267 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод BSDD08G65E2:
Диод BSDD08G65E2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APEHT-0112 |
PTH |
1200 |
20 |
84 |
1.5 |
20 |
100 |
205 |
TO-254 |
| APEHT-0122 |
PTH |
1200 |
20 |
91 |
1.5 |
35 |
67 |
225 |
TO-254 |
| BSDH08G65E2 |
PTH |
650 |
8 |
48 |
1.7 |
40 |
267 |
175 |
TO-220 |