BSDL10S65E6 - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: DFN8X8
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 650 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 10 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 75 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 1.45 В
- Обратный ток утечки, Ir: 50 мкА
- Емкость перехода, Cj: 500 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 175 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод BSDL10S65E6:
Диод BSDL10S65E6 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BSDB10S65E6 |
SMD |
650 |
10 |
80 |
1.45 |
50 |
500 |
175 |
TO-263 |
| BSDD10S65E6 |
SMD |
650 |
10 |
80 |
1.45 |
50 |
500 |
175 |
TO-252 |
| BSDH10S65E6 |
PTH |
650 |
10 |
85 |
1.45 |
50 |
500 |
175 |
TO-220 |