EBRP10L50T - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-277
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 50 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 10 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 250 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.47 В
- Обратный ток утечки, Ir: 500 мкА
- Емкость перехода, Cj: 10 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод EBRP10L50T:
Диод EBRP10L50T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| EBRP10L50C |
SMD |
50 |
10 |
250 |
0.47 |
500 |
10 |
150 |
SMC |