EBRP20L50T - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-277
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 50 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 20 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 200 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.53 В
- Обратный ток утечки, Ir: 500 мкА
- Емкость перехода, Cj: 20 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод EBRP20L50T:
Диод EBRP20L50T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| EBRP20L50D |
PTH |
50 |
20 |
200 |
0.53 |
500 |
20 |
150 |
DO-27 |
| EBRT20L100C |
SMD |
100 |
20 |
200 |
0.5 |
200 |
20 |
150 |
SMC |