EBRP3E60AF - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMAF
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 60 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 3 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 80 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.5 В
- Обратный ток утечки, Ir: 500 мкА
- Емкость перехода, Cj: 3 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод EBRP3E60AF:
Диод EBRP3E60AF можно заменить на:
Нет элементов для замены