EBRT10E120C - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMC
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 120 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 10 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 150 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.79 В
- Обратный ток утечки, Ir: 200 мкА
- Емкость перехода, Cj: 10 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод EBRT10E120C:
Диод EBRT10E120C можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| EBRT10E120B |
SMD |
120 |
10 |
150 |
0.79 |
200 |
10 |
150 |
SMB |
| EBRT10L120D |
PTH |
120 |
10 |
150 |
0.78 |
100 |
10 |
150 |
DO-27 |