EBRT12E120T - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-277
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 120 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 12 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 200 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.76 В
- Обратный ток утечки, Ir: 200 мкА
- Емкость перехода, Cj: 12 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод EBRT12E120T:
Диод EBRT12E120T можно заменить на:
Нет элементов для замены