EBRT2E100B - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMB
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 2 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 80 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.55 В
- Обратный ток утечки, Ir: 200 мкА
- Емкость перехода, Cj: 2 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод EBRT2E100B:
Диод EBRT2E100B можно заменить на:
Нет элементов для замены