EBRT3E100AF - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMAF
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 3 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 80 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.6 В
- Обратный ток утечки, Ir: 200 мкА
- Емкость перехода, Cj: 3 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод EBRT3E100AF:
Диод EBRT3E100AF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
Vr, В |
Ifa, А |
Ifsm, А |
Vf, В |
Ir, мкА |
Cj, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| EBRT3E100A |
SMD |
100 |
3 |
80 |
0.6 |
200 |
3 |
150 |
SMA |
| EBRT3E100B |
SMD |
100 |
3 |
80 |
0.6 |
200 |
3 |
150 |
SMB |
| EBRT3E100D |
PTH |
100 |
3 |
80 |
0.6 |
200 |
3 |
150 |
DO-27 |
| EBRT3E100M |
PTH |
100 |
3 |
80 |
0.6 |
200 |
3 |
150 |
DO-15 |
| EBRT3X100B |
SMD |
100 |
3 |
150 |
0.52 |
200 |
3 |
150 |
SMB |