EBRT8E100T - Диод с барьером Шоттки
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-277
Основные характеристики:
- Максимальное обратное напряжение, Vr: 100 В
- Максимальный средний прямой ток, Ifa: 8 А
- Пиковый прямой ток, Ifsm: 150 А
- Прямое падение напряжения, Vf: 0.67 В
- Обратный ток утечки, Ir: 300 мкА
- Емкость перехода, Cj: 8 пФ
- Максимальная рабочая температура перехода, Tj: 150 гр.Ц
Техническое описание (datasheet) на диод EBRT8E100T:
Диод EBRT8E100T можно заменить на:
Нет элементов для замены